Vietnamese

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Hindi

Turkish

Indonesian

Vietnamese

Thai

Bengali

Persian

Polish

Yêu cầu báo giá |

Nhà Sản phẩm

MOSFET điện áp cao

Sản phẩm tốt nhất

MOSFET cao áp loại N TO-247 cho thiết bị âm thanh

MOSFET cao áp loại N TO-247 cho thiết bị âm thanh

Năng lượng tuyết rơi Định nghĩa điện áp cao MOSFET TO-251 cho các bộ chuyển đổi

Năng lượng tuyết rơi Định nghĩa điện áp cao MOSFET TO-251 cho các bộ chuyển đổi

Khả năng ổn định nhiệt MOSFET điện áp cao cho quản lý pin

Khả năng ổn định nhiệt MOSFET điện áp cao cho quản lý pin

Trung Quốc MOSFET điện áp cao

CS8N65A2 8A650V MOSFET điện áp cao kênh N ứng dụng chuyển đổi nhanh

Loại:N

NHẬN DẠNG:8A

Điện áp nguồn cổng (Vgs):±30V
20A600V CS20N60A8 MOSFET điện áp cao loại N cho nguồn điện đơn vị

NHẬN DẠNG:20A

Vdss:600V

Điện áp nguồn cổng (Vgs):±30V
5A650V CS5N65A2 MOSFET chuyển đổi tốc độ cao cho chuyển đổi điện

Loại:N

NHẬN DẠNG:5A

Điện áp nguồn cổng (Vgs):±30V
8A900V CS8N90A6 TO-247 MOSFET điện áp cao điện trở thấp

NHẬN DẠNG:8A

Số mô hình:CS8N90A6

Vdss:900V
20A650V CS20N65A6 N kênh cao áp MOSFET 100% thử tuyết rơi

NHẬN DẠNG:20A

Vdss:650V

Kiểu RDSON （@VGS=10V）:0,38Ω
28A500V CS28N50A6 MOSFET điện áp chia cắt cao cho nguồn cung cấp điện chế độ chuyển đổi

Loại:N

Điện áp nguồn cổng (Vgs):±30V

NHẬN DẠNG:28A

Page 5 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

Duyệt mục：

về

Silicon Carbide SBD: Điện năng lượng Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes cho lò điện; Tăng áp cao Silicon Carbide SBD cho trung tâm dữ liệu; Công nghiệp Silicon Carbide SBD đa dụng cho máy hàn

IGBT biến tần: 15A 1200V Inverter IGBT mạch ngắn chịu thời gian 10μS cho lái xe máy; Tin cậy và mạnh mẽ Inverter IGBT Chế độ tăng cường kênh N; Bộ sạc IGBT Transistor đa năng cho ứng dụng OBC

Để lại tin nhắn

Chính sách bảo mật | Trung Quốc tốt chất lượng IGBT biến tần nhà cung cấp. © 2024 - 2025 inverterigbt.com. All Rights Reserved.

vr