logo
Yêu cầu báo giá |
Nhà Sản phẩmMOSFET công suất cao

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Tất cả sản phẩm

IGBT biến tần

(37)

IGBT công suất cao

(48)

MOSFET công suất cao

(48)

Super Junction MOSFET

(48)

MOSFET điện áp thấp

(81)

MOSFET điện áp cao

(54)

Điốt rào cản Schottky

(80)

Diode phục hồi nhanh

(49)

VF Schottky thấp

(65)

Chất bán dẫn công suất cao

(28)

MOSFET silicon cacbua

(21)

Silicon Carbide SBD

(21)
Sản phẩm tốt nhất
Công nghiệp MOSFET công suất cao Phân tán nhiệt Oxit kim loại MOSFET

Công nghiệp MOSFET công suất cao Phân tán nhiệt Oxit kim loại MOSFET

500V N kênh MOSFET công suất cao đa dụng kim loại oxit bán dẫn

500V N kênh MOSFET công suất cao đa dụng kim loại oxit bán dẫn

MOSFET điện cao 600V cho điều khiển và mạch cầu

MOSFET điện cao 600V cho điều khiển và mạch cầu

Chứng nhận
Trung Quốc Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Chứng chỉ
Trung Quốc Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Chứng chỉ
Khách hàng đánh giá
Sản phẩm tuyệt vời, chính xác như mô tả, vận chuyển nhanh và dịch vụ tuyệt vời.

—— minifux1

rất nhanh chóng gửi, đóng gói tốt và các cáp này chắc chắn là chất lượng cao! đã không mua ở bất cứ nơi nào khác và sẽ tiếp tục nhận cáp của tôi từ người bán này! AAA+++

—— Mahdi

Dịch vụ tuyệt vời như thường lệ. mua từ người bán này nhiều lần. giao hàng nhanh.

—— Sophia.

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V For Adaptor And Charger
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Hình ảnh lớn :  N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: Lingxun
Chứng nhận: IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Số mô hình: CS11N40A
Tài liệu: About Lingxun(1).pdf
Thanh toán:
Số lượng đặt hàng tối thiểu: Theo yêu cầu của bạn
Giá bán: According to your order requirement
chi tiết đóng gói: Xác nhận gói dựa trên số phần
Thời gian giao hàng: Theo yêu cầu của bạn
Điều khoản thanh toán: T/T
Khả năng cung cấp: 600KK/năm
Tiếp xúc

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Sự miêu tả
Kháng chiến: Mức kháng cự thấp Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C
Nhóm: MOSFET Sức mạnh: Năng lượng cao
Loại gói: TO-220AB MPN: CS11N40A1
Kiểu Rdson: 0,50Ω NHẬN DẠNG: 11A
Vdss: 400V
Làm nổi bật:

Chế độ tăng cường năng lượng MOSFET 11A

,

Chế độ tăng cường điện năng MOSFET 400V

,

Adapter MOSFET kênh N

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc
 
 
Các đặc điểm chính
ID:11A
VDSS: 400V
RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω
 
Các đặc điểm
Chuyển nhanh
Kháng năng ON thấp
Phí cổng thấp
Kiểm tra năng lượng tuyết lở 100% Single Plus
 
Các đặc điểm
• Chuyển nhanh
• Kháng năng ON thấp
• Phí cổng thấp
• Kiểm tra năng lượng tuyết lở bằng xung đơn 100%
 
Ứng dụng
Vòng mạch chuyển mạch điện của bộ chuyển đổi và bộ sạc.
 
Dữ liệu cơ khí
• Vỏ: Nhựa đúc
• Vị trí gắn: Bất kỳ
• Nhựa đúc: Nhóm phân loại dễ cháy UL 94V-0
• Không có chì phù hợp với chỉ thị EU RoHS 2011/65/EU
• Nhiệt độ bồn hàn tối đa 275 °C, 10s mỗi JESD 22-B106
 
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc 0
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc 1
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc 2
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc 3
 

Từ khóa:

Super Junction MOSFET,

MOSFET kênh N,

MOS tuyệt vời

Chi tiết liên lạc
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Người liên hệ: Mrs. Qinqin

Tel: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)

về

Silicon Carbide SBD

Điện năng lượng Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes cho lò điện

Tăng áp cao Silicon Carbide SBD cho trung tâm dữ liệu

Công nghiệp Silicon Carbide SBD đa dụng cho máy hàn

IGBT biến tần

15A 1200V Inverter IGBT mạch ngắn chịu thời gian 10μS cho lái xe máy

Tin cậy và mạnh mẽ Inverter IGBT Chế độ tăng cường kênh N

Bộ sạc IGBT Transistor đa năng cho ứng dụng OBC

Để lại tin nhắn

Chính sách bảo mật | Trung Quốc tốt chất lượng IGBT biến tần nhà cung cấp. © 2024 - 2025 Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd. All Rights Reserved.
vr