N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Name: N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
SKU: CS11N40A
Availability: InStock

Tất cả sản phẩm

IGBT biến tần
(37)

IGBT công suất cao
(38)

MOSFET công suất cao
(48)

Super Junction MOSFET
(48)

MOSFET điện áp thấp
(81)

MOSFET điện áp cao
(54)

Điốt rào cản Schottky
(80)

Diode phục hồi nhanh
(49)

VF Schottky thấp
(65)

Chất bán dẫn công suất cao
(28)

MOSFET silicon cacbua
(21)

Silicon Carbide SBD
(21)

Sản phẩm tốt nhất

Công nghiệp MOSFET công suất cao Phân tán nhiệt Oxit kim loại MOSFET

500V N kênh MOSFET công suất cao đa dụng kim loại oxit bán dẫn

MOSFET điện cao 600V cho điều khiển và mạch cầu

Chứng nhận

Trung Quốc Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Chứng chỉ

Khách hàng đánh giá

Sản phẩm tuyệt vời, chính xác như mô tả, vận chuyển nhanh và dịch vụ tuyệt vời.

—— minifux1

rất nhanh chóng gửi, đóng gói tốt và các cáp này chắc chắn là chất lượng cao! đã không mua ở bất cứ nơi nào khác và sẽ tiếp tục nhận cáp của tôi từ người bán này! AAA+++

—— Mahdi

Dịch vụ tuyệt vời như thường lệ. mua từ người bán này nhiều lần. giao hàng nhanh.

—— Sophia.

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Hình ảnh lớn : N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc:	Trung Quốc
Hàng hiệu:	Lingxun
Chứng nhận:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Số mô hình:	CS11N40A
Tài liệu:	About Lingxun(1).pdf

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu:	Theo yêu cầu của bạn
Giá bán:	According to your order requirement
chi tiết đóng gói:	Xác nhận gói dựa trên số phần
Thời gian giao hàng:	Theo yêu cầu của bạn
Điều khoản thanh toán:	T/T
Khả năng cung cấp:	600KK/năm

Tiếp xúc

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Sự miêu tả

Kháng chiến:	Mức kháng cự thấp	Phạm vi nhiệt độ hoạt động:	-55°C đến +150°C
Nhóm:	MOSFET	Sức mạnh:	Năng lượng cao
Loại gói:	TO-220AB	MPN:	CS11N40A1
Kiểu Rdson:	0,50Ω	NHẬN DẠNG:	11A
Vdss:	400V
Làm nổi bật:	Chế độ tăng cường năng lượng MOSFET 11A , Chế độ tăng cường điện năng MOSFET 400V , Adapter MOSFET kênh N

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Các đặc điểm chính

ID:11A

VDSS: 400V

RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω

Các đặc điểm

Chuyển nhanh

Kháng năng ON thấp

Phí cổng thấp

Kiểm tra năng lượng tuyết lở 100% Single Plus

Các đặc điểm

• Chuyển nhanh

• Kháng năng ON thấp

• Phí cổng thấp

• Kiểm tra năng lượng tuyết lở bằng xung đơn 100%

Ứng dụng

Vòng mạch chuyển mạch điện của bộ chuyển đổi và bộ sạc.

Dữ liệu cơ khí

• Vỏ: Nhựa đúc

• Vị trí gắn: Bất kỳ

• Nhựa đúc: Nhóm phân loại dễ cháy UL 94V-0

• Không có chì phù hợp với chỉ thị EU RoHS 2011/65/EU

• Nhiệt độ bồn hàn tối đa 275 °C, 10s mỗi JESD 22-B106

Từ khóa:

Super Junction MOSFET,

MOSFET kênh N,

MOS tuyệt vời

Chi tiết liên lạc

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Người liên hệ: Mrs. Qinqin

Tel: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

Sản phẩm khác

N loại MOSFET năng lượng cao Giải pháp quản lý năng lượng cho các ứng dụng công nghiệp

Loại thiết bị: MOSFET

Loại: N

Điện áp nguồn cổng (Vgs): ±30V

Vật liệu: silicon

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Đặt trên bề mặt

NHẬN DẠNG: 5A

Vdss: 650V

RDSON-kiểu VGS=10V: 780mΩ

Đặc điểm: RDS(ON) & FOM thấp, tổn thất chuyển mạch cực thấp, độ ổn định và tính đồng nhất tuyệt vời

Phân tán nhiệt MOSFET công suất cao Silicon Power Transistors

Loại: N

Quốc gia xuất xứ: Trung Quốc, Hàng mới, Chưa sử dụng

Loại thiết bị: MOSFET

Kháng chiến: Mức kháng cự thấp

7A 650V 525mΩ TO-220F MOS mát cho nguồn điện không bị gián đoạn

NHẬN DẠNG: 7A

Vdss: 650V

RDSON-kiểu VGS=10V: 520mΩ

Ứng dụng: Chế độ chuyển đổi Nguồn điện (SMPS), Nguồn điện liên tục (UPS), Hiệu chỉnh hệ số công suất (PFC)

MOSFET năng lượng cao đa dụng TO-247 cho nguồn cung cấp điện không bị gián đoạn

Loại gói: TO-247

Loại thiết bị: MOSFET

Sức mạnh: Năng lượng cao

Công nghệ: Người lập kế hoạch

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

IGBT biến tần

IGBT công suất cao

MOSFET công suất cao

Super Junction MOSFET

MOSFET điện áp thấp

MOSFET điện áp cao

Điốt rào cản Schottky

Diode phục hồi nhanh

VF Schottky thấp

Chất bán dẫn công suất cao

MOSFET silicon cacbua

Silicon Carbide SBD

Công nghiệp MOSFET công suất cao Phân tán nhiệt Oxit kim loại MOSFET

500V N kênh MOSFET công suất cao đa dụng kim loại oxit bán dẫn

MOSFET điện cao 600V cho điều khiển và mạch cầu

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V cho bộ điều hợp và bộ sạc

Chế độ tăng cường năng lượng MOSFET 11A

Chế độ tăng cường điện năng MOSFET 400V

Adapter MOSFET kênh N

Super Junction MOSFET,

MOSFET kênh N,

MOS tuyệt vời

N loại MOSFET năng lượng cao Giải pháp quản lý năng lượng cho các ứng dụng công nghiệp

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Đặt trên bề mặt

Phân tán nhiệt MOSFET công suất cao Silicon Power Transistors

7A 650V 525mΩ TO-220F MOS mát cho nguồn điện không bị gián đoạn

MOSFET năng lượng cao đa dụng TO-247 cho nguồn cung cấp điện không bị gián đoạn

Silicon Carbide SBD

Điện năng lượng Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes cho lò điện

Tăng áp cao Silicon Carbide SBD cho trung tâm dữ liệu

Công nghiệp Silicon Carbide SBD đa dụng cho máy hàn

IGBT biến tần

15A 1200V Inverter IGBT mạch ngắn chịu thời gian 10μS cho lái xe máy

Tin cậy và mạnh mẽ Inverter IGBT Chế độ tăng cường kênh N

Bộ sạc IGBT Transistor đa năng cho ứng dụng OBC