Chế độ tăng cường kênh N IGBT công suất cao cho bộ chuyển đổi tần số

Name: Chế độ tăng cường kênh N IGBT công suất cao cho bộ chuyển đổi tần số
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Tất cả sản phẩm

IGBT biến tần
(37)

IGBT công suất cao
(38)

MOSFET công suất cao
(48)

Super Junction MOSFET
(48)

MOSFET điện áp thấp
(81)

MOSFET điện áp cao
(54)

Điốt rào cản Schottky
(80)

Diode phục hồi nhanh
(49)

VF Schottky thấp
(65)

Chất bán dẫn công suất cao
(28)

MOSFET silicon cacbua
(21)

Silicon Carbide SBD
(21)

Sản phẩm tốt nhất

Hiệu suất cao 15A 650V IGBT công suất cao TO-263C cho điều khiển động cơ

Multi-scene Isolated Gate Bipolar Transistor Inverter cho các nguồn điện không bị gián đoạn

Khả năng chặn điện áp cao TO-247 IGBT 40A 1200V Để chuyển đổi điện

Chứng nhận

Trung Quốc Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Chứng chỉ

Khách hàng đánh giá

Sản phẩm tuyệt vời, chính xác như mô tả, vận chuyển nhanh và dịch vụ tuyệt vời.

—— minifux1

rất nhanh chóng gửi, đóng gói tốt và các cáp này chắc chắn là chất lượng cao! đã không mua ở bất cứ nơi nào khác và sẽ tiếp tục nhận cáp của tôi từ người bán này! AAA+++

—— Mahdi

Dịch vụ tuyệt vời như thường lệ. mua từ người bán này nhiều lần. giao hàng nhanh.

—— Sophia.

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

Chế độ tăng cường kênh N IGBT công suất cao cho bộ chuyển đổi tần số

Hình ảnh lớn : Chế độ tăng cường kênh N IGBT công suất cao cho bộ chuyển đổi tần số

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc:	Trung Quốc
Hàng hiệu:	Lingxun
Chứng nhận:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Tài liệu:	About Lingxun(1).pdf

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu:	Theo yêu cầu của bạn
Giá bán:	According to your order requirement
chi tiết đóng gói:	Ống + Thùng carton
Thời gian giao hàng:	Theo yêu cầu của bạn
Điều khoản thanh toán:	T/T
Khả năng cung cấp:	600KK/năm

Tiếp xúc

Chế độ tăng cường kênh N IGBT công suất cao cho bộ chuyển đổi tần số

Sự miêu tả

tốc độ chuyển đổi:	Tốc độ chuyển đổi nhanh hơn	Tên sản phẩm:	IGBT công suất cao
Ứng dụng:	OBC, cọc sạc, máy hàn, bộ nguồn chuyển mạch, biến tần quang điện, lưu trữ năng lượng, v.v.	Ưu điểm:	Thiết kế Mesa hẹp, Thiết kế kết hợp rãnh tối ưu hơn, Thiết kế có độ tin cậy cao hơn và tham khảo ngh
Loại thiết bị:	IGBT	Gói:	TO-247
Làm nổi bật:	IGBT công suất cao , Chuyển đổi tần số IGBT công suất cao , Chế độ tăng cường IGBT công suất cao

MOSFET điện áp thấp đa chức năng cho quản lý điện

Đặc điểm

• Tỷ lệ nhiệt độ tích cực

• Chuyển đổi tốc độ cao

• Điện áp bão hòa thu nhỏ từ máy thu đến máy phát

• Khả năng chuyển đổi song song dễ dàng

• Khâu ngắn chịu thời gian 10μs

• Hiệu suất độ bền cao

Ứng dụng

• Trạm điện di động

• Người lái xe

Bao gồm:

TO-247

Từ khóa:

Người liên hệ: Mrs. Qinqin

Tel: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

Sản phẩm khác

Công suất chuyển đổi IGBT 650V-1200V Tiết kiệm năng lượng cho chuyển đổi chuyển đổi

Đánh giá điện áp: 650V-1200V

Ứng dụng: Nguồn điện liên tục, Thiết bị tẩy lông, Đèn flash

tốc độ chuyển đổi: Tốc độ chuyển đổi nhanh hơn

Tần suất ứng dụng: 20KHZ-60KHZ

Kênh N 15A 650V IGBT công suất cao TO-220F cho các thiết bị gia dụng

Loại thiết bị: IGBT

Ứng dụng: Chuyển mạch công suất cao

Điện áp cổng cực đại: ±20V

Sức mạnh: Năng lượng cao

600V-1200V Power IGBT Hiệu suất độ dẻo dai cao cho các ứng dụng PFC

tốc độ chuyển đổi: Tốc độ chuyển đổi nhanh hơn

Ứng dụng: Máy hút bụi, Ứng dụng PFC biến tần chung • Nguồn điện liên tục, Bộ biến tần năng lượng mặt trời Bộ c

Đánh giá điện áp: 650V-1200V

Tần suất ứng dụng: 20KHZ-60KHZ

30A 650V N kênh IGBT công suất cao cho máy hàn điện

Điện áp thu-phát: 650V

Điện áp cổng phát: ±20

Dòng thu xung, tp bị giới hạn bởi Tvjmax: 120A

Công suất tiêu tán (TC=25oC): 50W

Tốc độ chuyển đổi nhanh Điện IGBT 650V-1200V cho cơ sở hạ tầng lưới điện

Ứng dụng: Thiết bị gia dụng, Ổ đĩa động cơ, Quạt, Máy bơm, Biến tần chuỗi năng lượng mặt trời

tốc độ chuyển đổi: Tốc độ chuyển đổi nhanh hơn

Loại gói: TO-247

Loại thiết bị: IGBT

Chế độ tăng cường kênh N IGBT công suất cao cho bộ chuyển đổi tần số

IGBT biến tần

IGBT công suất cao

MOSFET công suất cao

Super Junction MOSFET

MOSFET điện áp thấp

MOSFET điện áp cao

Điốt rào cản Schottky

Diode phục hồi nhanh

VF Schottky thấp

Chất bán dẫn công suất cao

MOSFET silicon cacbua

Silicon Carbide SBD

Hiệu suất cao 15A 650V IGBT công suất cao TO-263C cho điều khiển động cơ

Multi-scene Isolated Gate Bipolar Transistor Inverter cho các nguồn điện không bị gián đoạn

Khả năng chặn điện áp cao TO-247 IGBT 40A 1200V Để chuyển đổi điện

Chế độ tăng cường kênh N IGBT công suất cao cho bộ chuyển đổi tần số

Chế độ tăng cường kênh N IGBT công suất cao cho bộ chuyển đổi tần số

IGBT công suất cao

Chuyển đổi tần số IGBT công suất cao

Chế độ tăng cường IGBT công suất cao

IGBT điện áp cao,

N kênh IGBT,

Transistor công suất IGBT

Công suất chuyển đổi IGBT 650V-1200V Tiết kiệm năng lượng cho chuyển đổi chuyển đổi

Kênh N 15A 650V IGBT công suất cao TO-220F cho các thiết bị gia dụng

600V-1200V Power IGBT Hiệu suất độ dẻo dai cao cho các ứng dụng PFC

30A 650V N kênh IGBT công suất cao cho máy hàn điện

Tốc độ chuyển đổi nhanh Điện IGBT 650V-1200V cho cơ sở hạ tầng lưới điện

Silicon Carbide SBD

Điện năng lượng Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes cho lò điện

Tăng áp cao Silicon Carbide SBD cho trung tâm dữ liệu

Công nghiệp Silicon Carbide SBD đa dụng cho máy hàn

IGBT biến tần

15A 1200V Inverter IGBT mạch ngắn chịu thời gian 10μS cho lái xe máy

Tin cậy và mạnh mẽ Inverter IGBT Chế độ tăng cường kênh N

Bộ sạc IGBT Transistor đa năng cho ứng dụng OBC